BSM100GD120DN2
|
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
||
| Название: | BSM100GD120DN2 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | 4622558.pdf | ||
| Цены: | Розн.137,2$ | ||
| Детальное описание компонента BSM100GD120DN2 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Рассеяние мощности | 680 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | EconoPACK 3A | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
| order_2_3week | 1 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XT09-PKI-EA | Digi International | Радиочастотные модули 9XTEND 1W RS 232/485 | --- |
|
|
 |
ATA6836C-PXQW19 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MGA-30689-TR1G | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
HOA0880-P51 | --- | Фотопрерыватели | --- |
|
|
|
|
XREWHT-L1-R250-008A1 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|