BSM25GD120DN2E3224

BSM25GD120DN2E3224
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM25GD120DN2E3224
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.42,19$
Детальное описание компонента BSM25GD120DN2E3224
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер 180 nA
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 2 Упаковка Reel
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw order_2_3week 3

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
3515 3515 --- Держатели предохранителей, зажимы и аппаратура ---
01230002Z 01230002Z --- Держатели предохранителей, зажимы и аппаратура ---
CS1W-CN624 CS1W-CN624 --- Электронное оборудование ---
BD01 BD01 --- Переключатели ---
LSZ55A LSZ55A --- Переключатели ---