IHW20N120R3

IHW20N120R3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW20N120R3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW20N120R3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.48 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер 6.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Рассеяние мощности 310 W Максимальная рабочая температура + 175 C
Упаковка / блок TO247-3 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1, IHW20N120R3XK SP000437702,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CLG-150-20C CLG-150-20C Mean Well LED Drivers Power Supplies 150W 20V 7.5A TERMINAL BLOCK 4415099.pdf
BAS29,215 BAS29,215 NXP Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE SW TAPE-7 3527390.pdf
THS4120CDGNR THS4120CDGNR Texas Instruments Специальные усилители Fully Differential CMOS 2112765.pdf
DS232AS DS232AS Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 5739115.pdf
M4A5-64/32-55VC48 M4A5-64/32-55VC48 --- Программируемые логические интегральные схемы ---