IKW30N60H3
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IKW30N60H3 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента IKW30N60H3 | |||
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA | Рассеяние мощности | 187 W |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | TO-247 |
Упаковка | Tube | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 240 |
Другие названия товара № | IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1, IKW30N60H3XK SP000703042, |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
RS1JHE3/61T | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 600 Volt 1.0A 250ns 30 Amp IFSM | 3713442.pdf |
|
||
T901N32TOF | Infineon Technologies | Модули КТУ (SCR) PHASE CONTROL THYRISTOR | --- |
|
||
74ABT16841ADL-T | NXP Semiconductors | Защелки 20-BIT BUS INTERFACE LATCH 3-S | 3089479.pdf |
|
||
PI6C2405A-1HWEX | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
DG201ACSE+ | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|