IKW30N60H3

IKW30N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW30N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW30N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 187 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1, IKW30N60H3XK SP000703042,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RS1JHE3/61T RS1JHE3/61T Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 600 Volt 1.0A 250ns 30 Amp IFSM 3713442.pdf
T901N32TOF T901N32TOF Infineon Technologies Модули КТУ (SCR) PHASE CONTROL THYRISTOR ---
74ABT16841ADL-T 74ABT16841ADL-T NXP Semiconductors Защелки 20-BIT BUS INTERFACE LATCH 3-S 3089479.pdf
PI6C2405A-1HWEX PI6C2405A-1HWEX --- RF Semiconductors ---
DG201ACSE+ DG201ACSE+ --- Коммутационные микросхемы ---