J112G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | J112G | ||
| Описание: | JFET 35V 10mA | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента J112G | |||
| Полярность транзистора | N-Channel | Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) | 5 mA |
|---|---|---|---|
| Напряжение пробоя затвор-исток | 35 V | Конфигурация | Single |
| Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Упаковка | Bulk | Размер фабричной упаковки | 1000 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
THS3202DR | Texas Instruments | Быстродействующие операционные усилители 2GHz Current Feedback Amplifier | 1210777.pdf |
|
|
 |
BR93C76-10TU-2.7 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
W32181 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|
|
|
|
SRTC-636 | --- | Инструменты | --- |
|
|
|
|
8656450067LF | --- | Субминиатюрные соединители | --- |
|