MJD117T4G

MJD117T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD117T4G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD117T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
108-0137-200 108-0137-200 --- Лампы и держатели ---
5670H3-5V;5-5V 5670H3-5V;5-5V --- Светодиодная индикация ---
2Z05UM 2Z05UM --- Автоматические выключатели ---
NTHS1206J02N0050JP NTHS1206J02N0050JP --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
C503B-GCS-CY0Z0891 C503B-GCS-CY0Z0891 --- Светодиодная индикация ---