2N6427G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N6427G | ||
| Описание: | Transistors Darlington 500mA 50V NPN | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2N6427G | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 0.05 uA | Рассеяние мощности | 625 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92 | Упаковка | Bulk |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10000 at 10 mA at 5 V, 20000 at 100 mA at 5 V, 14000 at 500 mA at 5 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Размер фабричной упаковки | 5000 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXEH40N120 | Ixys | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1200V | 9328863.pdf |
|
|
|
|
MRF282ZR1 | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR FET SOE PKG | --- |
|
|
|
|
SSF-LXH2330GGD | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
MAX6461UR24+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
S-80129BNMC-JGO-T2 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|