MJD122G

MJD122G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9400257.pdf
Детальное описание компонента MJD122G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
5606032 5606032 Phoenix Contact Программное обеспечение для разработки PC-PXC-LIVE-USB ---
MAX5441BCUA-T MAX5441BCUA-T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3806370.pdf
LTL-53173Y LTL-53173Y --- Светодиодная индикация ---
EEE-FK1H221A EEE-FK1H221A --- Конденсаторы ---
4306-014LF 4306-014LF --- ЭМП и РЧП ---