MJ11012G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | MJ11012G | ||
| Описание: | Transistors Darlington 30A 60V Bipolar Power NPN | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента MJ11012G | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 30 A |
| Рассеяние мощности | 200 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-204-2 (TO-3) |
| Упаковка | Tray | Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200, 1000 | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Размер фабричной упаковки | 100 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MIKROE-594 | mikroElektronika | Дочерние и отладочные платы TFT2 PROTO 432x240 PROTO ADAPTER BOARD | 9753342.pdf |
|
|
 |
TC1321EOATR | Microchip Technology | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 10-Bit Two-Wire SOIC8 | 2348661.pdf |
|
|
 |
NJG1304E-TE1 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
TS5A3357DCUTE4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
551-2507F | --- | Светодиодная индикация | --- |
|