2N6052G

2N6052G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6052G
Описание: Transistors Darlington 12A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9404744.pdf
Детальное описание компонента 2N6052G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 12 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 150 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3) Упаковка Tray
Непрерывный коллекторный ток 12 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 750
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
UCC3974PW UCC3974PW Texas Instruments Display Drivers Dual Cold Cath Flrscnt Lamp Cntrlr 3780862.pdf
BLF6G10L-260PBM:11 BLF6G10L-260PBM:11 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR ---
IS43DR32800A-37CBLI IS43DR32800A-37CBLI --- Микросхемы памяти ---
MAX1627ESA MAX1627ESA --- Схемы управления питанием ---
MAX6466UR53-T MAX6466UR53-T --- Схемы управления питанием ---