BLF248,112

BLF248,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF248,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 300W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5460277.pdf
Детальное описание компонента BLF248,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 225 MHz Усиление 10 dB
Выходная мощность 300 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 25 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-262 A1
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 500 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.15 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF248

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
73S8014RT-ILR/F3 73S8014RT-ILR/F3 Maxim Integrated Products ИС, контроллер интерфейса ввода вывода 7654092.pdf
AS7C31025C-12JIN AS7C31025C-12JIN --- Микросхемы памяти ---
PMR4GDW1.5 PMR4GDW1.5 --- Светодиодная индикация ---
CPC1317PTR CPC1317PTR --- Оптопары и оптроны ---
DAP15P064LORLF DAP15P064LORLF --- Субминиатюрные соединители ---