BLF6G10LS-200R /T3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BLF6G10LS-200R /T3 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BLF6G10LS-200R /T3 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.06 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | - 0.5 V to + 13 V | Непрерывный ток стока | 49 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT502B | Упаковка | Reel - 13 in |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 100 |
| Другие названия товара № | BLF6G10LS-200R,118 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
B614F-2 | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули 42.5A 380V ISO QC MOD DIODE SCR | 4285969.pdf |
|
|
 |
SN75437ANEE4 | Texas Instruments | Периферийные ИС и компоненты (PCI) Quad Peripheral Drivers | 4908560.pdf |
|
|
 |
AT28C010-15PC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MAX6439UTDIWD3+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
74CBTLV3861DWRG4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|