BF1210 T/R

BF1210 T/R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF1210 T/R
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала TAPE-7 MOS-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BF1210 T/R
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 6 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.03 A Рассеяние мощности 180 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок UMT-6 Упаковка Reel - 7 in
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № BF1210,115

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TYN808RG TYN808RG STMicroelectronics Комплектные тиристорные устройства (SCR) 8.0 Amp 800 Volt 163749.pdf
KU10LU07-4073 KU10LU07-4073 Shindengen Сидаки VDRM=58 ITSM=100 207103.pdf
CD4538BCM_Q CD4538BCM_Q Fairchild Semiconductor Ждущий мультивибратор DUAL PREC MONOSTABLE 3898630.pdf
MAX6377UR30+T MAX6377UR30+T --- Схемы управления питанием ---
ICT-L075-VLT-4.3-G-S ICT-L075-VLT-4.3-G-S --- Комплектующие для испытательного оборудования ---