BSM200GB120DN2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM200GB120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | 4618178.pdf | ||
Детальное описание компонента BSM200GB120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Half Bridge Module |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 290 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 1.4 KW | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | Half Bridge2 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
4162135XX-3 | Digital View | Средства разработки визуального вывода Board LVDS Tx for Sharp LQ181E1LW31 | --- |
|
||
TISP61089BSDR-S | Bourns | Комплектные тиристорные устройства (SCR) PROTECTOR - QUAD PROGRAMMABLE | --- |
|
||
DF1704E | Texas Instruments | ИС ЦАП для аудиосигналов 8X Oversampling Filter | 5874670.pdf |
|
||
E3L-2DE4-50 | --- | Оптические детекторы и датчики | --- |
|
||
B66288F2204X000 | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|