BSM50GD120DN2
|
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
||
| Название: | BSM50GD120DN2 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | 4619536.pdf | ||
| Цены: | Розн.93$ | ||
| Детальное описание компонента BSM50GD120DN2 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 72 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Рассеяние мощности | 350 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | EconoPACK 2A | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
| order_2_3week | 5 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCC2681AC1N40,112 | NXP Semiconductors | ИС, интерфейс UART UART DUAL | 6121169.pdf6121170.pdf |
|
|
 |
SN74HC21PWR | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Dual 4-input Positive-AND Gates | 7974094.pdf |
|
|
 |
N74F133D-T | NXP Semiconductors | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 13-INPUT NAND GATE | 8710327.pdf |
|
|
|
|
MAX6832GXRD2+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
HLMP-HM55-MQ000 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|