BSM100GD120DN2

BSM100GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM100GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4622558.pdf
Цены: Розн.137,2$
Детальное описание компонента BSM100GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 680 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
2917719 2917719 Phoenix Contact Радиочастотные модули RAD-SOL-ADP-SET ---
2153AX6 2153AX6 Chicago Miniature Лампы CML Neon 6393917.pdf
MCP2135T-I/SN MCP2135T-I/SN Microchip Technology Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры IrDA encoder/decoder ---
TPS65573DSSR TPS65573DSSR --- Схемы управления питанием ---
TEF6621T/V1,512 TEF6621T/V1,512 --- RF Semiconductors ---