BLL1214-250,112

BLL1214-250,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLL1214-250,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS L-BAND
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5463972.pdf
Детальное описание компонента BLL1214-250,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.2 GHz to 1.4 GHz Усиление 12 dB
Выходная мощность 250 W Напряжение пробоя сток-исток 75 V
Непрерывный ток стока 45 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 22 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 400 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLL1214-250

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LX64B-3F100C LX64B-3F100C Lattice Аналоговые и цифровые коммутационные ИС 64 I/O Switch Matrix, 2.5V, SERDES, 3ns 6899092.pdf
KBC1102-AJZS KBC1102-AJZS SMSC Периферийные ИС и компоненты (PCI) Legacy Free Mobile KBC SFI ACD DAC ---
dsPIC33FJ16GP102T-I/SS dsPIC33FJ16GP102T-I/SS Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16bit DSC Fam 16MIPS 16KB FL 1KB RAM ---
SN74LVCH16543AZQLR SN74LVCH16543AZQLR --- Логические микросхемы ---
FN9244ER-10-06 FN9244ER-10-06 --- Модули подачи питания ---