RS1J-E3/61T
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | RS1J-E3/61T | ||
| Описание: | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0 Amp 600V 250ns | ||
| Производитель: | Vishay Semiconductors | ||
| Спецификация: | 3565524.pdf3565540.pdf | ||
| Детальное описание компонента RS1J-E3/61T | |||
| Продукт | Switching Diodes | Пиковое обратное напряжение | 600 V |
|---|---|---|---|
| Непрерывный ток в прямом направлении | 1 A | Максимальный ток перегрузки | 30 A |
| Конфигурация | Single | Время восстановления | 250 ns |
| Падение напряжения в прямом направлении | 1.3 V | Максимальный обратный ток утечки | 5 uA |
| Диапазон рабочих температур | - 55 C to + 150 C | Упаковка / блок | SMA |
| Упаковка | Reel | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Размер фабричной упаковки | 1800 | Другие названия товара № | RS1J-E3/5AT |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM75GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE | --- |
|
|
 |
LMK03001ISQX/NOPB | National Semiconductor (TI) | Тактовый синтезатор/устройство подавления колебаний | 6549458.pdf |
|
|
|
|
SI3216-C-GMR | Silicon Labs | ИС управления телекоммуникационными линиями Sng-CH WB SLIC/Codec BJT/inductor dc-dc | --- |
|
|
|
|
MAX303CSE | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
ROV07H181K-2 | --- | Варисторы | --- |
|