BSM50GP120
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM50GP120 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | 4619035.pdf | ||
Цены: | Розн.170$ | ||
Детальное описание компонента BSM50GP120 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 300 nA |
Рассеяние мощности | 360 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | EconoPIM3 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 500 | order_2_3week | 2 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
VOICE-RECORD-RD | Silicon Labs | Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров Microcontroller Solution-Mix Signal | 9258944.pdf9258952.pdf |
|
||
MCP4232T-503E/UN | Microchip Technology | ИС, цифровые потенциометры Dual 7B V SPI Rheo | 5133935.pdf |
|
||
TPS53314RGFT | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
LT1004IPWG4-1-2 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
MGA-30316-BLKG | --- | RF Semiconductors | --- |
|