BSM50GP120

BSM50GP120
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM50GP120
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4619035.pdf
Цены: Розн.170$
Детальное описание компонента BSM50GP120
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
Рассеяние мощности 360 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPIM3 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500 order_2_3week 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
VOICE-RECORD-RD VOICE-RECORD-RD Silicon Labs Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров Microcontroller Solution-Mix Signal 9258944.pdf9258952.pdf
MCP4232T-503E/UN MCP4232T-503E/UN Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры Dual 7B V SPI Rheo 5133935.pdf
TPS53314RGFT TPS53314RGFT --- Схемы управления питанием ---
LT1004IPWG4-1-2 LT1004IPWG4-1-2 --- Схемы управления питанием ---
MGA-30316-BLKG MGA-30316-BLKG --- RF Semiconductors ---