FS50R12KE3

FS50R12KE3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FS50R12KE3
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4621774.pdf
Детальное описание компонента FS50R12KE3
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 270 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPACK 2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
209174-4 209174-4 TE Connectivity / AMP Волоконно-оптические соединители FDDI2000 62UM ST/ST 6S MDIN 1M ---
051-0232-203 051-0232-203 --- Лампы и держатели ---
SI9111DY-T1 SI9111DY-T1 --- Схемы управления питанием ---
KF86-BD-44S-K KF86-BD-44S-K --- Субминиатюрные соединители ---
PCN21A-110SAA-2PF-GT PCN21A-110SAA-2PF-GT --- Прямоугольные разъемы ---