BSM50GB170DN2
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM50GB170DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Цены: | Розн.52,3$ | ||
Детальное описание компонента BSM50GB170DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Half Bridge Module |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.4 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 72 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 320 nA |
Рассеяние мощности | 500 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | Half Bridge1 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
order_2_3week | 120 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
CS496122-IQZR | Cirrus Logic | Цифровые процессоры звукового сигнала Cobra Audio Ntwrkng Prcsr Indust. Grade | 5962606.pdf |
|
||
74LVT574PW,118 | NXP Semiconductors | Триггеры 3.3V OCTAL D 3-S | 4424266.pdf |
|
||
B57620C0223J062 | --- | Термисторы – отрицательный температурный коэффициент | --- |
|
||
B41124A4227M | --- | Конденсаторы | --- |
|
||
ROV14H621K | --- | Варисторы | --- |
|