BSM50GB170DN2

BSM50GB170DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM50GB170DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.52,3$
Детальное описание компонента BSM50GB170DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 72 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 500 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge1 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 120

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CS496122-IQZR CS496122-IQZR Cirrus Logic Цифровые процессоры звукового сигнала Cobra Audio Ntwrkng Prcsr Indust. Grade 5962606.pdf
74LVT574PW,118 74LVT574PW,118 NXP Semiconductors Триггеры 3.3V OCTAL D 3-S 4424266.pdf
B57620C0223J062 B57620C0223J062 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
B41124A4227M B41124A4227M --- Конденсаторы ---
ROV14H621K ROV14H621K --- Варисторы ---