DDB6U75N16YR
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | DDB6U75N16YR | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 69A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента DDB6U75N16YR | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Single |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 69 A |
Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | EASY2 |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 4 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
74LX1G32STR | STMicroelectronics | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Single 2-Input OR | 8286085.pdf |
|
||
SSL-LXA228SGC-TR31 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
164A18259X | --- | Субминиатюрные соединители | --- |
|
||
DF22-3RS/P-7.92 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|
||
5302UE 008C250 | --- | Многожильные кабели и кабели парной скрутки | --- |
|