FF300R12ME4
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | FF300R12ME4 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента FF300R12ME4 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 450 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 0.4 uA |
| Рассеяние мощности | 1.6 KW | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Screw | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FM3116-S | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
PEEL22CV10AT-15 | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
|
|
|
HSMS-285B-TR2G | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
PM53-YGW9.5CC | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
920-0019-01 | --- | Продукты для создания прототипов | --- |
|