BSM25GB120DN2

BSM25GB120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM25GB120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM25GB120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 38 A Ток утечки затвор-эмиттер 180 nA
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge1 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LQ10D421 LQ10D421 Sharp Microelectronics Тонкопленочные дисплеи и принадлежности 10.4" 2 x CCFT VGA ---
2948-6G 2948-6G JKL Components Держатели ламп и принадлежности SOCKET W/LEADS FOR T-1 1/2 BULBS 6274550.pdf6274572.pdf
TL16C550CPTR TL16C550CPTR Texas Instruments ИС, интерфейс UART Sngl UART w/16-Byte FIFOs & Aut Flw Ctrl 6122179.pdf
74AC00B 74AC00B STMicroelectronics Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input NAND 8337831.pdf
BB1-17 BB1-17 --- Автоматические выключатели ---