BSM10GD120DN2E3224
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM10GD120DN2E3224 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Цены: | Розн.70$ | ||
Детальное описание компонента BSM10GD120DN2E3224 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 15 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 120 nA |
Рассеяние мощности | 80 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2 | Упаковка | Reel |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw | order_2_3week | 1 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
IXCP40M45A | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
UCC27424QDGNRQ1 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
74LVTH16952MEAX | --- | Логические микросхемы | --- |
|
||
FAD1-12038DBAW32 | --- | Вентиляторы и нагнетатели воздуха | --- |
|
||
A14559-01 | --- | Термическое сопряжение | --- |
|