FZ1200R12KF4

FZ1200R12KF4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FZ1200R12KF4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A SINGLE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FZ1200R12KF4
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1200 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 7.8 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 8

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAV 99W H6433 BAV 99W H6433 Infineon Technologies Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) AF DIGITAL TRANSISTOR ---
P2304UCTP P2304UCTP Littelfuse Сидаки 4Chp 190/380V 500A 192993.pdf
MAX2584AELM-TD MAX2584AELM-TD --- RF Semiconductors ---
C5SMF-GJN-CV14Q7S1 C5SMF-GJN-CV14Q7S1 --- Светодиодная индикация ---
CLC04P010F12 CLC04P010F12 --- Конденсаторы ---