BSM150GT120DN2

BSM150GT120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM150GT120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A TRIPACK
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.414,8$
Детальное описание компонента BSM150GT120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 1.25 KW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10
order_2_3week 2
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
GG201 GG201 Gadget Gangster Дочерние и отладочные платы DMX IO Adapter Shield ---
SN74AHCT86DG4 SN74AHCT86DG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quadruple 2-Input Exclusive-OR Gate 8162083.pdf
HLMP2755_Q HLMP2755_Q --- Светодиодная индикация ---
MAX1700EEE-T MAX1700EEE-T --- Схемы управления питанием ---
111 W/CAL CERT 111 W/CAL CERT --- Мультиметры и вольтметры ---