BSM10GD120DN2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM10GD120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | 4660028.pdf | ||
Детальное описание компонента BSM10GD120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 15 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 120 nA |
Рассеяние мощности | 80 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
EVB-LAN7500-LC | SMSC | Средства разработки сетей Ethernet Bus-powered Gigabit Ethernet Dongle BRD | 792428.pdf |
|
||
CD40174BPW | Texas Instruments | Триггеры CMOS Hex D-Type Flip-Flop | 4545710.pdf |
|
||
SN74CBTS3384DBRE4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
TR-11BY639A | --- | Автоматические выключатели | --- |
|
||
WKO472MCPERUK | --- | Конденсаторы | --- |
|