BSM20GD60DLCE3224

BSM20GD60DLCE3224
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM20GD60DLCE3224
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 32A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM20GD60DLCE3224
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 32 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 125 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPACK 2A Упаковка Reel
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LV49157V-TLM-H LV49157V-TLM-H ON Semiconductor Усилители звука AUDIO POWER AMPLIFIER ---
6828100-2 6828100-2 TE Connectivity Волоконно-оптические соединители CO KIT, SC, SM, SIM, TGHT ---
PCI7420GHK PCI7420GHK Texas Instruments Периферийные ИС и компоненты (PCI) Integrated 2-Slot PC Card ---
LM4050CEM3-3.0+T LM4050CEM3-3.0+T --- Схемы управления питанием ---
S-80856CNUA-B9HT2G S-80856CNUA-B9HT2G --- Схемы управления питанием ---