BSM150GB170DN2_E3166

BSM150GB170DN2_E3166
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM150GB170DN2_E3166
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 220A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM150GB170DN2_E3166
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 220 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок 62MM
Упаковка Reel Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NHD-C12864GG-RN-GBW NHD-C12864GG-RN-GBW Newhaven Display Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности 128 X 64 STN-GRAY 55.5 X 38.0 X 2.0 5392651.pdf5392668.pdf
SL23EP09SI-1T SL23EP09SI-1T Silicon Labs Тактовый буфер 10-220MHz 9 Out ZDB 3.3V-2.5V 6105867.pdf
CD4068BMG4 CD4068BMG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) CMOS 8-Input NAND/ AND Gate 8161862.pdf
HLMP-EL24-PSKZZ HLMP-EL24-PSKZZ --- Светодиодная индикация ---
E3T-SL14 5M E3T-SL14 5M --- Оптические детекторы и датчики ---