FD401R17KF6C_B2

FD401R17KF6C_B2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FD401R17KF6C_B2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 650A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FD401R17KF6C_B2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 650 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 3.1 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM73 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 4

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1986-F3# DS1986-F3# Maxim Integrated Products Контактная память 1535915.pdf
dsPIC33FJ128GP802T-I/SO dsPIC33FJ128GP802T-I/SO Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16B DSC 28LD128KB DMA 40MIPS 6026718.pdf
25LC040AT-I/SN 25LC040AT-I/SN --- Микросхемы памяти ---
IS24C04A-2PI IS24C04A-2PI --- Микросхемы памяти ---
SSF-LX3P74LID-99 SSF-LX3P74LID-99 --- Светодиодная индикация ---