FZ2400R17KE3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | FZ2400R17KE3 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 3.2KA | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента FZ2400R17KE3 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 3200 A |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | IHM130 |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Размер фабричной упаковки | 2 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TDB6HK165N12LOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1200V 120A HF-CNTL | --- |
|
|
 |
THS4504DGNG4 | Texas Instruments | Специальные усилители Wideband Lo-Noise Lo-Distortion | 1911594.pdf |
|
|
|
|
CAT25C05UI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
CNX310012E4112 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
PM5R3-BCW2.0CC | --- | Светодиодная индикация | --- |
|