FS75R12KE3G

FS75R12KE3G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FS75R12KE3G
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FS75R12KE3G
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 105 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 355 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPACK 3B Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MCR68-002 MCR68-002 ON Semiconductor Комплектные тиристорные устройства (SCR) 50V 12A ---
MR25H10MDF MR25H10MDF --- Микросхемы памяти ---
LTS-3361KF LTS-3361KF --- Светодиодные дисплеи ---
6160.0014 6160.0014 --- Модули подачи питания ---
MZ1216L MZ1216L --- Фильтры цепи питания ---