FMG2G300US60E

FMG2G300US60E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FMG2G300US60E
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Molding Type Module
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FMG2G300US60E
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 300 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 892 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 7PM-HA Упаковка Bulk
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10
Другие названия товара № FMG2G300US60E_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MC74LCX573DTR2 MC74LCX573DTR2 ON Semiconductor Защелки 2-3.6V Octal 3-State ---
TS3063CB TS3063CB --- Схемы управления питанием ---
TDA8295HN/C1,518 TDA8295HN/C1,518 --- RF Semiconductors ---
2948746 2948746 --- Оптопары и оптроны ---
135107-02-36.00 135107-02-36.00 --- Интерконнекторы ---