FZ1200R33KF2

FZ1200R33KF2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FZ1200R33KF2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) U 641-FZ1200R33KF2C
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FZ1200R33KF2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Triple Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3300 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 2000 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 14.7 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TSC2111EVM TSC2111EVM Texas Instruments Средства разработки тактильных датчиков TSC2111 Eval Mod ---
SN74LS00DBRG4 SN74LS00DBRG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2 input pos NAND gates 8185925.pdf
MC74AC132MELG MC74AC132MELG ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-6V Quad 2-Input NAND Schmitt ---
LFE3-35EA-8LFTN256C LFE3-35EA-8LFTN256C --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MAX1005CEE+T MAX1005CEE+T --- RF Semiconductors ---