BSM100GAL120DN2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM100GAL120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPER | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BSM100GAL120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Half Bridge Module |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 800 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | Half Bridge GAL 2 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MAX5661GCB+ | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Precision DAC | 850433.pdf850459.pdf |
|
||
MAX736EWE | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
FSFR1700USL | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
SSL-LXA1008SRCTR41 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
CPC331J | --- | Конденсаторы | --- |
|