FF800R17KF6C-B2

FF800R17KF6C-B2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF800R17KF6C-B2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 800A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF800R17KF6C-B2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1300 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 6.25 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPA0232PWPR TPA0232PWPR Texas Instruments Усилители звука St 2W Aud Pwr Amp 3986282.pdf
F5D1 F5D1 Fairchild Semiconductor Инфракрасные излучатели 12mW 1.7V IR LED ---
AT24C1024BN-SH25-T AT24C1024BN-SH25-T --- Микросхемы памяти ---
BA1-B0-34-610-121-D BA1-B0-34-610-121-D --- Автоматические выключатели ---
B57150K1242J B57150K1242J --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---