IHW20N120R3

IHW20N120R3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW20N120R3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW20N120R3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.48 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер 6.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Рассеяние мощности 310 W Максимальная рабочая температура + 175 C
Упаковка / блок TO247-3 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1, IHW20N120R3XK SP000437702,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BDV64-S BDV64-S Bourns Transistors Darlington 60V 12A PNP 9434513.pdf
LT1U67A LT1U67A --- Светодиодная индикация ---
LS240D8 LS240D8 --- Оптопары и оптроны ---
OPB773T OPB773T --- Фотопрерыватели ---
DCMX103U40AA2B DCMX103U40AA2B --- Конденсаторы ---