IGW25N120H3

IGW25N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW25N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW25N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 326 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1, IGW25N120H3XK SP000674424,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HGT1S7N60C3DS HGT1S7N60C3DS Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7A 600V TF=275NS 9327714.pdf
HSC-AT11CS-A12 HSC-AT11CS-A12 Hirose Connector Волоконно-оптические соединители SC TYP OPTICAL FIXED ATTENUATOR 12 dB 5967213.pdf
SN65C3238DWRG4 SN65C3238DWRG4 Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3-5.5V Multichannel Line Drvr/Rcvr 5486636.pdf
74LVCH16T245DGGRG4 74LVCH16T245DGGRG4 Texas Instruments Трансляция - уровни напряжения 16B noninverting bus Xceiver 5349900.pdf
AP1501-33K5G-13 AP1501-33K5G-13 --- Схемы управления питанием ---