IGW15N120H3

IGW15N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW15N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW15N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 217 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1, IGW15N120H3XK SP000674430,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1814/1 Y1 C 1814/1 Y1 C APM HEXSEAL Держатели ламп и принадлежности Silikrome Lamp filter - Yellow 6280982.pdf
74HC08PW,118 74HC08PW,118 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) QUAD 2-INPUT AND 7978972.pdf
DS1250Y-70 DS1250Y-70 --- Микросхемы памяти ---
AP1506-12K5G-13 AP1506-12K5G-13 --- Схемы управления питанием ---
DEBB33A102KB2B DEBB33A102KB2B --- Конденсаторы ---