HGT1S10N120BNS
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | HGT1S10N120BNS | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V NPT N-Ch | ||
Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
Спецификация: | 4825387.pdf | ||
Детальное описание компонента HGT1S10N120BNS | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
Рассеяние мощности | 298 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-263AB-3 | Упаковка | Tube |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Размер фабричной упаковки | 50 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
PCA9633BS-T | NXP Semiconductors | LED Drivers 4BIT I2C FM+ TP LED CON RST OE | 4579150.pdf |
|
||
FS15R06VL4_B2 | --- | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | --- |
|
||
AT28BV256-25PC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
LM34910SD/NOPB | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
LM2674LD-ADJ | --- | Схемы управления питанием | --- |
|