HGTP5N120BND

HGTP5N120BND
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTP5N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4830216.pdf4830231.pdf
Цены: Розн.2,6544$
Детальное описание компонента HGTP5N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 21 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 21 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP5N120BND_NL order_2_3week 4

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LLN9-W-XXX LLN9-W-XXX Dialight Светодиодные модули 9 LED 9W 126 Lumens White 5340726.pdf
HGTP12N60A4 HGTP12N60A4 Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series ---
74LVC16373ADGG,518 74LVC16373ADGG,518 NXP Semiconductors Защелки 3.3V 16-BIT D TRANS LATCH 3-S 2876876.pdf
8325 8325 --- Светодиодная индикация ---
138D116X0150F2 138D116X0150F2 --- Конденсаторы ---