HGTP10N120BN
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | HGTP10N120BN | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | 9293566.pdf | ||
| Детальное описание компонента HGTP10N120BN | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.45 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Рассеяние мощности | 298 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | Упаковка | Tube |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 400 |
| Другие названия товара № | HGTP10N120BN_NL | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MAX5585EUP-T | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) | 3193014.pdf |
|
|
 |
SN74ALS109AD | Texas Instruments | Триггеры Dual Pos-Edge-Trig J-K Flip-Flop | 6572827.pdf |
|
|
|
|
TRF7900PWG4 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
PS2861-1-V-F3-L-A | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|
|
|
|
XMLHVW-Q2-0000-0000LT553 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|