STGD8NC60KDT4

STGD8NC60KDT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGD8NC60KDT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9294800.pdf
Детальное описание компонента STGD8NC60KDT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок DPAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 15 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DAC1001D125HL/C1:1 DAC1001D125HL/C1:1 NXP Semiconductors ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) IC DAC 10BIT 125MSPS DL 1899309.pdf
DS90CF386MTD DS90CF386MTD National Semiconductor (TI) ИС интерфейса LVDS 7770043.pdf
B57164K154J B57164K154J --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
561R10TCCQ10 561R10TCCQ10 --- Конденсаторы ---
359 359 --- Продукты для создания прототипов ---