HGTG30N60B3

HGTG30N60B3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG30N60B3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9298505.pdf9298506.pdf
Детальное описание компонента HGTG30N60B3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 208 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG30N60B3_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RN1102MFV(TPL3) RN1102MFV(TPL3) Toshiba Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms 9510865.pdf
74HCT193DB 74HCT193DB NXP Semiconductors ИС, счетчики 4-BIT BINARY UP/DOWN COUNTER 4943397.pdf
TMS320DM6437ZDUQ6 TMS320DM6437ZDUQ6 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Dig Media Proc 5988857.pdf
AS7C3256A-15TIN AS7C3256A-15TIN --- Микросхемы памяти ---
LP204002 LP204002 --- Клеммные колодки ---