GT50J325(Q)
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | GT50J325(Q) | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A DIS+FRD | ||
| Производитель: | Toshiba | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента GT50J325(Q) | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-3P | Упаковка | Bulk |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 100 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2723000-R | Phoenix Contact | Антенны IBS24 RFC/486 DX/ETH-T -REFURB. | --- |
|
|
|
|
GBU8M-E3/45 | Vishay Semiconductors | Мостовые выпрямители 1000 Volt 8.0 Amp Glass Passivated | 2533165.pdf |
|
|
 |
1N4937GP-E3/4 | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0 Amp 600 Volt Glass Passivated | 4128561.pdf |
|
|
 |
TAS5508PAGR | Texas Instruments | Цифровые процессоры звукового сигнала 8Ch Dig Aud PWM Proc | 5966939.pdf |
|
|
|
|
CAT28LV64WI-20 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|