HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D
Кол-во:
Заказать
На складе
Название: HGTG30N60B3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9306457.pdf
Цены: Розн.1,05$
Детальное описание компонента HGTG30N60B3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 208 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG30N60B3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX539AESA-T MAX539AESA-T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3840621.pdf
SN74LVC1G11DBVRE4 SN74LVC1G11DBVRE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) SNGL 3 Input Pos AND Gate 7949701.pdf
BQ2012SN-D107G4 BQ2012SN-D107G4 --- Схемы управления питанием ---
SSX-75-A-4.9-G D/C SSX-75-A-4.9-G D/C --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
V715ZA05 V715ZA05 --- Варисторы ---