SGD02N120

SGD02N120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGD02N120
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента SGD02N120
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-252-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6.2 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № SGD02N120BUMA1 SGD02N120BUMA1, SGD02N120XT SP000012566,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MSD6100RLRAG MSD6100RLRAG ON Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100V 200mA ---
CD4094BE CD4094BE --- Логические микросхемы ---
6387-TS6-N-8 6387-TS6-N-8 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
EC12E24104A6 EC12E24104A6 --- Кодеры ---
TA4FBX TA4FBX --- Аудио и видео разъемы ---