SGD02N60
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | SGD02N60 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 2A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента SGD02N60 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-252-3 | Упаковка | Reel |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 6 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Другие названия товара № | SGD02N60BUMA1 SGD02N60BUMA1, SGD02N60XT SP000011993, |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
THS4130IDGK | Texas Instruments | Дифференциальные усилители Fully Differential I/O Low Noise | 550871.pdf |
|
|
 |
NB7L14MMNR2G | ON Semiconductor | Тактовый буфер 2.5V/3.3V Multilevel 1:4 Clock / Fanout | --- |
|
|
 |
MAX2235EUP-T | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
UPC2746TB | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
1-794681-2 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|