HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTD1N120BNS9A
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9316119.pdf
Детальное описание компонента HGTD1N120BNS9A
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 5.3 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 60 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-252AA-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 5.3 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
328 328 Chicago Miniature Лампы 6.0V .2A 6302543.pdf6302564.pdf
7868 7868 JKL Components Лампы Std Bi-Pin Based .35A .2M 6407935.pdf
M4A3-64/32-55VNC48 M4A3-64/32-55VNC48 --- Программируемые логические интегральные схемы ---
TCET4100 TCET4100 --- Оптопары и оптроны ---
3044160 3044160 --- Клеммные колодки ---